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單頻準分子激光你都了解么？
所謂的單頻準分子激光便是脈沖氣體激光，在電流通過時被激活，釋放出某一波長的單色光。氣體是由惰性氣體和鹵素混合而成，激活的惰性氣體和鹵素可形成鹵化物 “Ｅｘｃｉｍｅｒ”一詞來自激態(tài)分子的意思，即受激態(tài)準分子是一種激態(tài)二聚體“Ｅｘｃｉｍｅｒ Ｄｉｍｅｒ”，這兩個單詞組合成 “Ｅｘｃｉｍｅｒ”。 目前運用的單頻準分子激光首要有以下幾種：氬氟（ＡｒＦ）準分子激光其波長１９３ｎｍ；氪氟（ＫｒＦ）準分子激光其波長２４８ｎｍ；氙氯（Ｘ更多 +
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氮中氯氣混合氣體的制備
氯氣是化工領域廣泛使用的氣體，目前國內(nèi)超過60%的化學品在生產(chǎn)制造過程中要用到氯氣。氯氣是一種有毒有害氣體，它主要通過呼吸道侵入人體，因此利用氯氣傳感器檢測空氣中氯氣含量，達到對氯氣泄漏事故的預警效果。為保證檢測結果的準確性，需要用到氮中氯氣混合氣體對儀器進行標定。 目前，廣泛應用的現(xiàn)場氣體檢測技術大多使用催化燃燒式、電化學、半導體和光離子化等小巧實用的氣體傳感器。為了保證氯氣傳感器測量結果的可靠性，標準物質(zhì)特性值范圍采用國際公認的基本方法-稱量法制備氮中氯氣標準物質(zhì)。更多 +
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硅烷制備多晶硅技術
伴隨著能源危機的不斷加劇，國家關于清潔動力的展開越來越重視，光伏工業(yè)作為清潔動力的代表之一，敏捷占領市場并廣受好評。跟著全球光伏商場的爆發(fā)性增長，作為光伏原料的多晶硅市場也是車水馬龍，而多晶硅制備技術也在不斷推陳出新，其中，改善西門子法、硅烷法、流化床法是市場應用最多的辦法。 現(xiàn)在來說，成功完成多晶硅商業(yè)化出產(chǎn)的流化床裝置都采用了硅烷流化床，其原料為硅烷與氫氣。硅烷易與其他氯硅烷別離，本身分化溫度低，分化率高，副反應少，這就賦予了硅烷流化床法很大的優(yōu)勢：精餾、尾氣處理工序簡單，能耗和單體出資都能大大降低，反應更多 +
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11月氦氣價格或?qū)⒊掷m(xù)上漲！
目前氦氣市場貨源緊張，市場價格的大幅增長，一方面市場供應面收緊，另一方面也是下游市場需求迅速增長提供有力支撐。 1.光纖光纜行業(yè)發(fā)展迅速 光纖由光纖預制棒拉制而成，材料其主要原包括四氯化硅、氦氣、氫氣等，其中，四氯化硅和氦氣約占光纖預制棒生產(chǎn)成本的50%以上。2016-2018年中國光纜產(chǎn)量增長幅度大幅提升，2018年光纜產(chǎn)量預計達到38600萬芯千米。當前，我國光纖光纜市場呈“五大”格局，武漢長飛、亨通光電、烽火通信、富通集團、中天科技、通鼎互聯(lián)六家廠商占據(jù)了大部分市場更多 +
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雙氧水法制環(huán)氧氯丙烷新工藝
10月26日，中國科學院大連化學物理研究所、莘縣華祥鹽化有限公司聯(lián)合開發(fā)的雙氧水法制環(huán)氧氯丙烷新工藝(DECH)，在北京通過了由中國石油和化學工業(yè)聯(lián)合會組織的成果鑒定。 目前，生產(chǎn)環(huán)氧氯丙烷的工業(yè)方法主要有三種，分別為：氯醇法、醋酸烯丙酯-烯丙醇法、甘油法。在我國由于烯丙醇法工藝流程長，投資費用和成本相對較高已經(jīng)停用。而氯醇法與甘油法都存在高鹽廢水的嚴重環(huán)保問題，迫切需要環(huán)氧氯丙烷綠色制造方法。 中科院大連化學物理研究所在國家自然科學基金的支持下自90年代開始一直從事烯烴綠色環(huán)氧更多 +
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VOC對人體的危害
VOC包含各種可于室溫下?lián)]發(fā)的有機化合物，在一般的室內(nèi)環(huán)境中有著100種以上的VOC。主要成分有：苯系物、有機氯化物、氟利昂系列、有機酮、胺、醇、醚、酯、酸和石油烴化合物等。其中常見的VOC種類有甲苯、二甲苯對-二氯苯乙苯、苯乙烯、甲醛、乙醛等。苯、甲苯、鹵代烯烴(三氯乙烯、二氯乙烯) 等已被懷疑或確定為致癌物質(zhì)。 家庭裝飾裝修過程中使用的涂料是室內(nèi)VOC的主要來源之一。 VOC室外主要來自燃料燃燒和交通運輸;室內(nèi)主要來自燃煤和天然氣等燃燒產(chǎn)物、吸煙、采暖和烹調(diào)等得煙霧，建筑和裝更多 +
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三氯甲烷的廢氣回收處理
三氯甲烷作為基礎的化工原料和常用溶劑，在各種工藝過程中通過不同的手段進入大氣，進而污染大氣，萬浩機械采用活性炭纖維作為吸附劑，承攬三氯甲烷廢氣吸附回收裝置的設計、加工制造業(yè)務。 廢氣處理裝置組成：預處理裝置、吸附罐/吸附器、脫附冷凝回收系統(tǒng)、干燥降溫系統(tǒng)。 裝置工藝： 1、預處理—吸附：有機廢氣（如有必要需風機加壓或者引更多 +
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蝕刻技術中特種氣體的作用
硅片的蝕刻氣體（特種氣體）主要是氟基氣體,包括四氟化碳、四氟化碳/氧氣、六氟化硫、六氟乙烷/氧氣、三氟化氮等。但由于其各向同性,選擇性較差,因此改進后的蝕刻氣體通常包括氯基(Cl2)和溴基(Br2、HBr)氣體。反應后的生成物包括四氟化硅、四氯硅烷和SiBr4。鋁和金屬復合層的蝕刻通常采用氯基氣體,如CCl4、Cl2、BCl3等。產(chǎn)物主要包括AlCl3等 蝕刻是采用化學和物理方法,有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程?？涛g的目的是在涂膠的硅片上正確地復制掩膜圖形?？涛g分為濕法蝕更多 +
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影響標準氣體穩(wěn)定度的四大因素
一、氣體組分的相容性。如果配制氮氣中一氧化氮/氮氣的標準氣體， 如果高純氮中含有氧或充裝中帶入氧， 那么混合氣體就變成了二氧化氮/氮氣了、類似情況的問題整理為以下幾點： 1、 可燃性氣體或自燃氣體與氧化性氣體： 如果在爆炸下限以上或最小需氧量以上將可燃性氣體和氧化性氣體充入同一個氣瓶中， 會有爆炸的危險。碳氫化合物和氫氣作為可燃氣體容易被人們重視，而一氧化碳的可燃性卻常常被人們忽視， 而只是關注了它的毒性。氧氣是助燃氣體， 而一氧化氮、一氧化二氮、二氧化氮、 F2、 氯氣、三氟化氮更多 +
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高純硅烷和普通硅烷的品質(zhì)指標對比
高純硅烷的品質(zhì)無統(tǒng)一規(guī)定，各個生產(chǎn)單位生產(chǎn)的硅烷品質(zhì)通常有微小差別。下標是5N、6N級高純硅烷和普通硅烷品質(zhì)指標。 從表中可以看出，5N級硅烷除氫氣、氦氣外，雜質(zhì)氣體氧（氬）、一氧化碳+二氧化碳控制在0.4ppmv，其他雜質(zhì)氣體均在0.2ppmv。6N級硅烷均控制在0.1ppm。普通硅則高了一個數(shù)量級，氯化物甚至達到了15ppmv，高了兩個數(shù)量級。更多 +
