-
實驗室如何對標準物質進行有效的管理
標準物質是檢測實驗室用于保證檢測數據的準確性和精密度，實現量值傳遞的重要工具。標準物質的量值經過權威方法測量，或由多個高水平實驗室協同定值，具有很高的量值準確度。 目前，很多實驗室都使用大量的標準物質進行量值溯源和檢測質量控制。如何對標準物質進行有效的管理，以最大限度地發(fā)揮標準物質的作用，成為許多檢測實驗室面臨的課題。 1 標準物質的采購 購買標準物質時，應首選國家標準計量主管部門批準、頒布并授權生產的標準物質。當國產的標準物質確實無法滿足工作需求時更多 +
-
同位素示蹤法在各行業(yè)的應用
工業(yè)中的應用 在工業(yè)活動中，示蹤原子為使用多種高性能的檢測方法和生產過程自動控制方法提供了可能性，克服了傳統檢測方法難以完成甚至無法完成的難題。如石油工業(yè)中采用放射性核素示蹤微球等方法測繪注水井吸水剖面，為評價地層，調整注水量的分配，實現石油的增產和穩(wěn)定做出了貢獻。在機械工業(yè)中可用氪（85Kr）化技術進行機械磨損研究，測量一些其他方法不能完成的運動部件的最高工作溫度和溫度分布。此外，這一靈敏度很高的85Kr檢漏方法也在機械工業(yè)產品、機械零部件和金屬真空系統的檢漏，以及電子工業(yè)半導體更多 +
-
食品檢測中穩(wěn)定同位素的應用
近年來食品摻假問題屢見不鮮，而且摻假問題已成為全球問題。伴隨著科技快速發(fā)展的同時，食品摻假水平和手段也越來越高明，仿真度極高的劣質產品給檢驗工作帶來了巨大困難，使許多檢測鑒別摻偽的傳統方法失效。食品造假手段不斷翻新，鑒別方法也在不斷發(fā)展，如何運用新型高科技檢測手段讓摻假無機可趁已成為食品行業(yè)的重中之重。 同位素技術目前是國際上用于辨別食品真假、追溯食品來源和實施產地保護的一種有效方法，在食品安全領域的應用前景廣闊。 穩(wěn)定同位素技術的出現加深了生態(tài)學家對生態(tài)系統的進一步更多 +
-
淺談二氧化碳驅油技術
大慶勘探開發(fā)研究院通過開創(chuàng)性的氣驅油藏工程方法研究，基本形成了二氧化碳驅油綜合調整技術，其項目成果在榆樹林和海拉爾油田得到規(guī)?；瘧谩嵤┚C合調整后，試驗區(qū)氣油比上升速度得到控制，采油井受效明顯。這不僅有力支撐了外圍油田的穩(wěn)產，也為大慶薄差油層增儲上產增添科技底氣。 截至目前，大慶油田二氧化碳驅油工業(yè)化試驗區(qū)自開展試驗以來，累計注氣136萬噸，二氧化碳驅累計產油39萬噸。其中，在海拉爾油田，貝14試驗區(qū)的受效程度明顯提高，部分井開采方式由抽油轉為自噴；在榆樹林油田樹101試驗區(qū)穩(wěn)油控氣，扶楊三類難更多 +
-
液氮在電子工業(yè)中的應用
液氮是低溫-196℃的液體，是由占用空氣成分百分之七十多的氮氣得來的。惰性、無色、無毒，易揮發(fā)，使用范圍非常廣。液氮低溫易揮發(fā)，所以一般儲存在專用容器—液氮罐中。 1、電子元件制造與檢測 液氮是一種更快和更有效的屏蔽和測試電子元器、電路板的方法。 2、低溫球磨技術 低溫行星式球磨機是將液氮氣體源源不斷地輸入裝有保溫罩的行星式球磨機中，這些冷氣將高速旋轉的球磨罐產生的熱量及時更多 +
-
氣體檢測儀安全使用注意事項
最近有標準氣體的用戶向小編提出了這樣的疑問“用你們的氣體標定儀器，測的值不太準，你們的氣體是不是有問題？”這個問題小編可以堅定的回答“請您放心！紐瑞德的氣體出廠時都會有專業(yè)的分析員進行檢測分析，保證氣體的質量！” 那么問題來了，為什么出現這樣的情況呢？ 其實任何一種儀器，都像家里的菜刀一樣，每過一段時間都需要重新打磨才更好用。今天就來和大家分享一下氣體檢測儀的保養(yǎng)方法。 1.注意經常性的校準和檢測更多 +
-
高純氣體如何成為零點氣體
高純氣體用作零點氣的制作完全類似于氣體標準物質的制作，但操作過程可以簡化。通常使用的稀釋氣體中的某種或某類雜質含量低于分析方法所采用測量儀器的最小檢出量，則此種稀釋氣就可作為“零點”氣使用。 零點氣體是用于在給定的含量范圍內，用給定的分析方法去校準標準工作曲線的零點。當其作為被測樣品進入檢測儀表后，在儀器選下的測量范圍內，僅呈現儀表零點的響應值，而不會產生偏離預置零點以外的響應信號。對不同類型的檢測方法和不同燈頭型的檢測儀器，最低檢測限會對零點氣體提出不同的更多 +
-
蝕刻技術中特種氣體的作用
硅片的蝕刻氣體（特種氣體）主要是氟基氣體,包括四氟化碳、四氟化碳/氧氣、六氟化硫、六氟乙烷/氧氣、三氟化氮等。但由于其各向同性,選擇性較差,因此改進后的蝕刻氣體通常包括氯基(Cl2)和溴基(Br2、HBr)氣體。反應后的生成物包括四氟化硅、四氯硅烷和SiBr4。鋁和金屬復合層的蝕刻通常采用氯基氣體,如CCl4、Cl2、BCl3等。產物主要包括AlCl3等 蝕刻是采用化學和物理方法,有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過程。刻蝕的目的是在涂膠的硅片上正確地復制掩膜圖形?？涛g分為濕法蝕更多 +
