-
總投資1.63億元！年產(chǎn)5000噸電子級硅烷氣及配套儲氫項目報批
宜昌南玻硅材料有限公司已完成報批手續(xù)，投資1.63億元建設年產(chǎn)5000噸的電子級硅烷氣及其配套儲氫項目。該項目將改建生產(chǎn)線并購置新設備，成為中國電子級硅烷氣生產(chǎn)的龍頭企業(yè)。一旦建成，將實現(xiàn)年產(chǎn)5000噸電子級硅烷氣和1000m3制氫儲能。更多 +
-
硅烷SiH4化學品安全技術說明書MSDS
硅烷SiH4化學品安全技術說明書MSDS 硅烷,硅烷氣體,硅烷標準氣體,硅烷混合氣體 第一部分：化學品名稱化學品中文名稱： 硅烷msds；甲硅烷；四氫化硅化學品英文名稱： Silane；Silicon tetrahydride中文俗名或商品名： Synonyms：CAS No.： 7803-62-5分子式： SiH4分子量： 32.12第二部分：成分/組成信息有害物成分 含量 CAS No.甲硅烷 7803-62-5第三更多 +
-
三氯氫硅SiHCl3化學品安全技術說明書MSDS
三氯氫硅SiHCl3化學品安全技術說明書MSDS 三氯氫硅,三氯氫硅氣體,三氯氫硅標準氣體,三氯氫硅混合氣體 第1部分 化學品化學品中文名：三氯氫硅MSDS別名：三氯硅烷；硅仿；硅氯仿化學品英文名：trichlorosilane；silicochloroform產(chǎn)品推薦及限制用途：用于生產(chǎn)有機硅的中間體。第2部分 危險性概述 緊急情況概述：遇明火強烈燃燒。受高熱分解產(chǎn)生有毒的氯化物氣體。與氧化劑發(fā)生反應，有燃燒危險。吞咽有害，吸 入有害，造成嚴重的皮膚灼傷和眼損傷，造成更多 +
-
二氯硅烷H2Cl2Si化學品安全技術說明書MSDS
二氯硅烷H2Cl2Si化學品安全技術說明書MSDS 二氯硅烷,二氯硅烷氣體,二氯硅烷標準氣體,二氯硅烷混合氣體 一、標識中文名稱：二氯硅烷msds英文名稱：dichlorosilane分子式：SiH2Cl2分子量：101.01二、 成分/組成信息有害成分：二氯硅烷濃度：CAS NO.：4109-96-0三、危險性概述危險性類別：侵入途徑： 健康危害：對上下呼吸道、皮膚和眼睛有腐蝕性和刺激性。本品遇水或空氣中的水份迅速水解形成氯化氫（鹽酸）。鹽 酸可致皮膚灼傷和粘膜刺激。接更多 +
-
氣體在半導體外延中起到的作用
外延生長本質(zhì)上是一個化學反應過程。用于硅外延生長的主要氣體源是氫和氯硅烷，例如四氯化硅（SiCl4）、三氯氫硅（SiHCl3）和二氯硅烷（SiH2Cl2）。此外，硅烷經(jīng)常被用作氣體源以降低生長溫度。氣源的選擇主要取決于外延層的生長條件和規(guī)格，其中生長溫度是選擇氣源的最重要因素。硅外延層的生長速率和生長溫度之間的關系。 顯示了兩個不同的增長區(qū)域。在低溫區(qū)域（區(qū)域A）中，硅外延層的生長速率與溫度成指數(shù)關系，這意味著它們由表面反應控制；在高溫范圍（區(qū)域B），生長速率與溫度幾乎沒有直接關系，表明它們受質(zhì)量傳輸更多 +
-
硅烷熱分解法制取高純硅的化學原理
在高純硅的制備方法中，熱分解法SiH4具有廣闊的應用前景。該方法的整個過程可分為三個部分：SiH4的合成、提純和熱分解。 （1） SiH4的合成 桂花鎂熱分解制備SiH4是工業(yè)上廣泛使用的方法。硅化鎂（Mg2Si）是由硅粉和鎂粉在500～550℃的氫氣（真空或氬氣）中混合而成。反應式如下： 2Mg+Si=Mg2Si 然后硅化鎂和固體氯化銨在液氨介質(zhì)中反應生成SiH4。 Mg2Si+4NH4Cl=SiH4↑+2MgCl2+4NH3↑ 液氨不僅是介質(zhì)，還更多 +
-
標準氣鋁合金鋼瓶的特殊處理技術
A.標準氣鋼瓶的CL- 1 型特殊處理技術 該系列產(chǎn)品的特點是內(nèi)表面涂覆光潔、憎水、耐蝕及化學惰性的涂層，具有很強的抗腐蝕和保持氣體純度的能力。可用于充裝高品級電子氣體，如硅烷、乙硼烷、磷烷、砷烷、氯化氫、二氯甲硅烷、三氯化硼及氨等氣體，國內(nèi)首創(chuàng)，達到國際同類產(chǎn)品先進水平。該產(chǎn)品正逐步代替進口特種鋼瓶，用于充裝國內(nèi)高品級特種氣體和出口用特種氣體。 合作方式：提供各種規(guī)格的特殊處理氣瓶。 B.標準氣鋁合金鋼瓶的CL-2型特殊處理技術 &nbs更多 +
-
硅烷在使用中有哪些容易被大家忽略的安全風險
硅烷的一大應用是非晶半導體非晶硅。與單晶半導體材料相比非晶硅的特點是容易形成極薄的(厚度10nm左右)大面積器件，襯底可以是玻璃、不銹鋼、甚至塑料，表面可以是平面也可是曲面，因此可以制成各種性能優(yōu)異的器件。 如今，硅烷已成為半導體微電子工藝中使用的最主要的特種氣體, 用于各種微電子薄膜制備, 包括單晶膜、微晶、多晶、氧化硅、氮化硅、金屬硅化物等。硅烷的微電子應用還在向縱深發(fā)展: 低溫外延、選擇外延、異質(zhì)外延。不僅用于硅器件和硅集成電路，也用于化合物半導體器件(砷化鎵、碳化硅等)。在超晶更多 +
