當(dāng)乙烯、乙炔和丙烯在950°下熱解時，熱解碳的化學(xué)氣相沉積速率隨氣體濃度而變化。如果氣體濃度較小，熱解碳的沉積速率與乙炔和丙烯的濃度呈平方關(guān)系，與乙烯的濃度呈立方關(guān)系。隨著濃度的增加，熱解碳的沉積速率遵循飽和吸附的生長模式。因此，在低濃度條件下，CVD實際上是一個活性位點吸附的飽和吸附生長過程。

隨著乙烯和其他氣體濃度的不斷增加，熱解碳的沉積速率線性增加，這是多環(huán)芳烴的縮合成核增長。在900°C和1s的氣體停留時間下，每個組分中碳元素的分布如圖9所示。除未分解的原料氣外，大多數(shù)碳元素在氣相中轉(zhuǎn)移到苯和多環(huán)芳烴化合物中。固體碳的百分比很低。氣相色譜儀測定的主要氣相組成如表2.5所示。多環(huán)芳烴的最大分子量限值與鹵代苯一樣小。因此，即使對于具有高碳形成速率的烴類氣體，如乙烯、乙炔和丙烯，熱解碳的化學(xué)氣相沉積也只是熱解反應(yīng)的副反應(yīng)過程。