半導(dǎo)體工藝氣體等級(jí)大揭秘

半導(dǎo)體工藝氣體等級(jí)的劃分主要基于氣體純度等指標(biāo)，具體標(biāo)準(zhǔn)如下：
1、大宗氣體：
純度要求：純度在 3n 及以上（1n 表示純度百分比 9 的個(gè)數(shù)，3n 即純度達(dá)到 99.9% 上述)，

氣體中雜質(zhì)含量較高。
應(yīng)用領(lǐng)域：常用于一般半導(dǎo)體設(shè)備的生產(chǎn)環(huán)節(jié)，如輔助氣體作為一些非關(guān)鍵工藝步驟或提

供一般氣體環(huán)境。
2、高純氣體：
純度要求：達(dá)到純度 5n 及以上（即 99.999% 以上)，氣體中雜質(zhì)含量的控制比較嚴(yán)格，需

要將金屬元素等雜質(zhì)凈化到較低的濃度水平。
應(yīng)用領(lǐng)域：適用于大型集成電路的制造，適用于一些對(duì)氣體純度要求較高的工藝環(huán)節(jié)。例

如，在半導(dǎo)體材料的沉積和延伸過(guò)程中，高純度氣體可以保證工藝的穩(wěn)定性和產(chǎn)品質(zhì)量。
3、電子氣體(電子氣體)：
純度要求：一般要求符合要求： 6n 及以上（即 99.9999% 以上)，一些先進(jìn)的工藝甚至需

要更高的純度，可以實(shí)現(xiàn)。 ppb（10??）甚至 ppt（10?¹²）級(jí)別。
應(yīng)用領(lǐng)域:是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵工藝氣體，廣泛應(yīng)用于光刻、蝕刻、摻雜、氣相沉積、擴(kuò)

散等各種半導(dǎo)體工藝流程的核心工藝環(huán)節(jié)。例如，氟基氣體(例如)在蝕刻過(guò)程中 CF?、SF?、

C?F?、NF?等）、氯基氣體（Cl?）和溴基氣體（Br?、HBr）用于去除硅片表面不必要的材

料。
總之，半導(dǎo)體工藝氣體的等級(jí)劃分對(duì)半導(dǎo)體制造的質(zhì)量和性能非常重要。不同等級(jí)的氣體

在半導(dǎo)體生產(chǎn)的不同環(huán)節(jié)起著特定的作用。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)工藝氣體純度

和質(zhì)量的要求也在不斷提高。
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