高純度氨產(chǎn)品是光電子和微電子技術(shù)不可或缺的支撐材料。它廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體照明、平板顯示器、太陽能電池和大型集成電路的制造。高純度氨的質(zhì)量直接影響材料的光學(xué)和電學(xué)性能，甚至影響設(shè)備的使用壽命。國內(nèi)外都有巨大的潛在市場。隨著國內(nèi)半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展，對(duì)高純度氨的需求快速增長，高純度電子氣體的國產(chǎn)化是必然的發(fā)展趨勢。

高純度氨也是通過有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積（MOCVD）技術(shù)生產(chǎn)第三代復(fù)合半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）的重要支撐材料。MOCVD生產(chǎn)氮化鎵（GaN）要求所用的氨必須是高純度和超清潔的，純度為7N（99.99999%）。由于技術(shù)瓶頸和壁壘的限制，國內(nèi)高純度氨的純度高達(dá)6.0N，難以滿足GaN生長技術(shù)的要求。隨著中國國家半導(dǎo)體照明項(xiàng)目的啟動(dòng)，對(duì)氮化鎵關(guān)鍵支撐材料的需求更加迫切。因此，突破GaN中使用的超純白氨凈化技術(shù)，實(shí)現(xiàn)超純氨的大規(guī)模生產(chǎn)并替代進(jìn)口產(chǎn)品至關(guān)重要。

高純度和超潔凈氨是成膜的最基本來源。氧分子（O2）、水（H2O）和CO2是非常有害的污染物，其導(dǎo)致沉積金屬和金屬化合物的活性膜的質(zhì)量降低。高純度、超潔凈氨中的金屬雜質(zhì)對(duì)復(fù)合半導(dǎo)體材料的生產(chǎn)極為有害，是影響其光電性能指標(biāo)的關(guān)鍵因素之一。去除高純度氨中的氧分子（O2）、水（H2O）和金屬雜質(zhì)以及將總雜質(zhì)含量降低到0.1ppm以下是當(dāng)前的國際氣體凈化問題。項(xiàng)目實(shí)施過程中必須解決以下關(guān)鍵技術(shù)：

1.清潔技術(shù)：半導(dǎo)體領(lǐng)域使用的高純度氣體純度極高，特別是影響半導(dǎo)體材料生長的氧、水和其他雜質(zhì)的含量必須達(dá)到ppm ppb水平?？紤]到原料氣的雜質(zhì)含量和物理化學(xué)性質(zhì)，以高效吸附和蒸餾為主要凈化方法，開發(fā)了一種選擇性好、吸附容量大、凈化深度高的新型吸附劑和高性能催化劑。它們具有吸附和催化功能，并滿足去除雜質(zhì)的要求。該工藝特別適用于大規(guī)模生產(chǎn)。

2.清潔技術(shù)：為了達(dá)到高純度和超清潔氨的預(yù)期純度和清潔度，所有與氣體接觸的設(shè)備、容器和管道的材料必須經(jīng)過預(yù)處理，以確保無表面吸附、無表面化學(xué)反應(yīng)、無顆粒廢物、無死體積和良好的密封性能。在清潔系統(tǒng)中，選用檢測效率高、開口小的高性能過濾器，大大減少產(chǎn)品中的灰塵顆粒，實(shí)現(xiàn)超純清潔產(chǎn)品。

3.分析檢測技術(shù)：ppb或ppt（10-9~10-12）氣體雜質(zhì)、金屬離子和粉塵顆粒的檢測是高純氨開發(fā)必須解決的關(guān)鍵技術(shù)。痕量單位的檢測基于建立可靠的分析方法和先進(jìn)的檢測儀器。在引進(jìn)第三方先進(jìn)分析儀器的基礎(chǔ)上，建立了ppb-ppt雜質(zhì)分析方法。特別是，對(duì)于水和金屬雜質(zhì)的分析，無論是在線還是樣品控制，數(shù)據(jù)必須是可重復(fù)和準(zhǔn)確的。產(chǎn)品質(zhì)量的技術(shù)保證。

4、工業(yè)化生產(chǎn)技術(shù)：采用吸附、蒸餾、超濾相結(jié)合的凈化技術(shù)，使大流量的高純度氨更容易清洗；采用創(chuàng)新的工藝和操作條件來改進(jìn)吸附再生技術(shù)。吸附劑再生完成后，使用特殊的回吹技術(shù)作為下一個(gè)吸附循環(huán)的過渡，以使吸附劑恢復(fù)到最高活性，從而可以連續(xù)穩(wěn)定地生產(chǎn)高純度氨產(chǎn)品。