隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，對(duì)各種原材料的“純度”要求不斷上升。然而，高純度氣體的數(shù)

量通常很小，也很昂貴。因此，如何正確、適當(dāng)?shù)刂贫ㄔ蠚怏w的純度要求，以及如

何選擇高純度氣體已成為一個(gè)有爭議的問題。妥善處理這個(gè)問題將對(duì)技術(shù)和經(jīng)濟(jì)產(chǎn)生

深遠(yuǎn)的影響。

一般來說，人們通常使用百分比濃度來表示氣體的純度，即所謂的“9”表達(dá)式。例如，

99.9%的特定氣體濃度表示其含有0.1%的雜質(zhì)（即1000ppm的雜質(zhì)含量）。根據(jù)一

般概念，顯然99.995%的氣體比99.99%的氣體更純凈，人們似乎更喜歡它。然而，

如果純度的選擇僅限于此，它將對(duì)科學(xué)研究或生產(chǎn)產(chǎn)生負(fù)面影響。如果只考慮這些因

素，顯然忽略了高純度氣體的價(jià)格和雜質(zhì)的危害兩個(gè)主要因素。

很難獲得七種“9”或更多的超高純度氣體。除了在實(shí)驗(yàn)室提供零件外，在一般工業(yè)生產(chǎn)

中也很難提供大量的零件。因此，數(shù)字為“9”的純氣體在一般生產(chǎn)中是完全不可接受的，

除非在科學(xué)研究中可以有條件地接受。

因此，我們應(yīng)該從氣體中雜質(zhì)的濃度和雜質(zhì)對(duì)工藝的危害來選擇高純度氣體。這是因

為很難將氣體中的雜質(zhì)總量降低到lppm以下，但重要的是將單個(gè)有害雜質(zhì)降低到lppm

以下×10-9或更低。根據(jù)目前的工藝水平，硅中的總雜質(zhì)含量不低于10-8(1ppm)。然而，

磷、硼等有害電活性雜質(zhì)的單獨(dú)控制已達(dá)到1×10-8～l×10-10。（即o.1o.o1ppb）

因此，國外并不是簡單地用幾個(gè)“9”來表示高純度氣體，而是直接用不同的目的來命名

高純度氣體的程度。如光譜純值、原子平面、電子平面、半導(dǎo)體平面、太陽能電池平

面、延伸平面、VLSI平面（VLSI平面）、研究平面等。它們只表示材料水平適合特定

的現(xiàn)場站，并不意味著雜質(zhì)質(zhì)量必須小于一定的值。正如化學(xué)試劑一般分為G一樣.R.，

A.R.，和C.P.，這只意味著它們的純度“優(yōu)秀”、“可用于分析”和“只能用于普通化學(xué)試劑”。

這并不一定意味著材料或試劑的總雜質(zhì)含量已經(jīng)降低到一定的數(shù)量級(jí)。同一水平的不

同材料或試劑中含有的雜質(zhì)有時(shí)可能會(huì)改變幾個(gè)數(shù)量級(jí)。根據(jù)材料的用途選擇材料的

純度，使我們能夠選擇目標(biāo)明確的材料，克服盲目性。