高純氫氣廣泛應(yīng)用于電子工業(yè)、石油化工、金屬冶煉、國(guó)防、科研等部門，也可用作制備標(biāo)準(zhǔn)氣的原料氣和色譜用載氣。隨著科學(xué)技術(shù)的快速發(fā)展，科學(xué)實(shí)驗(yàn)和工業(yè)產(chǎn)品的生產(chǎn)，特別是一些高科技產(chǎn)品，如超大集成電路和光電子產(chǎn)品，要求嚴(yán)格控制氫純度和雜質(zhì)含量，并要求凈化O2、H2O、，HTC（總烴）、CO、CO2等雜質(zhì)至10-9-10-12；在有色金屬的熔煉和加工中，硅鋼、帶鋼、精密合金和浮法玻璃的生產(chǎn)需要純度為99.999%的氫氣；在天然氣工業(yè)中，氣體分析和氣體精煉需要純氫。目前，工業(yè)生產(chǎn)的大部分工業(yè)氫應(yīng)進(jìn)行凈化，以滿足生活各個(gè)領(lǐng)域的需要。氫氣凈化方法主要有化學(xué)吸收法、催化反應(yīng)法、選擇性吸附法和膜分離法。

1、總烴測(cè)定原理及定量方法

在分析和檢測(cè)氣相色譜時(shí)，氣相色譜對(duì)所用氣體的純度有很高的要求。為了滿足工作要求和延長(zhǎng)設(shè)備使用壽命，所用氣體的純度應(yīng)滿足或略高于儀器本身對(duì)氣體純度的要求；否則，如果使用不合格的低純度氣體，會(huì)造成一些負(fù)面影響。此外，在硅外延中，氫與加熱硅襯底表面上的四氯化硅或三氯氫硅反應(yīng)，以還原硅并將其沉積在硅襯底上，從而形成外延層。在上述工藝中，氫的純度要求很高。如果存在太多碳?xì)浠衔?，就?huì)產(chǎn)生碳化硅，導(dǎo)致外延層中出現(xiàn)星形缺陷。因此，有必要監(jiān)測(cè)高純度氫中的整個(gè)碳?xì)浠衔铩?/p>

1.方法和原則

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)推薦的氣體中總氫的測(cè)定方法是目前大多數(shù)實(shí)驗(yàn)室采用的氫火焰電離法。這種方法的工作原理是：樣品進(jìn)入電離室后，在氫火焰的高溫下電離產(chǎn)生陽(yáng)離子。由于離子的數(shù)量與被測(cè)成分的含量成正比，因此可以確定其含量。工作站（或記錄器）記錄相應(yīng)成分的色譜峰。

2.定量方法

火焰離子化檢測(cè)器上總烴的響應(yīng)信號(hào)是不同烴信號(hào)的總和。迄今為止，除了食品級(jí)二氧化碳的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定總碳?xì)浠衔锸菑募淄橹杏?jì)算出來(lái)的外，沒有一個(gè)單一的標(biāo)準(zhǔn)來(lái)量化其他氣體中的總碳?xì)浠衔?。這里，甲烷也被用作參考材料，分析結(jié)果是用甲烷計(jì)算的。

氫是一種可燃?jí)嚎s氣體。儲(chǔ)存在涼爽通風(fēng)的倉(cāng)庫(kù)中。倉(cāng)庫(kù)內(nèi)溫度不得超過(guò)30℃。遠(yuǎn)離火種和熱源。避免陽(yáng)光直射。必須與氧氣、壓縮空氣、鹵素（氟、氯、溴）、氧化劑等分離。存儲(chǔ)儲(chǔ)藏室的照明、通風(fēng)等設(shè)備應(yīng)為防爆型，開關(guān)應(yīng)在儲(chǔ)藏區(qū)外調(diào)整，并配備適當(dāng)類型和數(shù)量的滅火器。禁止使用易產(chǎn)生火花的機(jī)械裝置和工具。驗(yàn)收時(shí)，注意產(chǎn)品名稱、瓶子檢驗(yàn)日期和倉(cāng)庫(kù)中使用的第一個(gè)。小心搬運(yùn)，以免損壞氣瓶和附件。