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氨氣/一氧化二氮電漿處理鈦酸鎳/鈦酸鈷複晶硅絕緣層

文章出處:責(zé)任編輯:人氣:-發(fā)表時(shí)間:2014-08-24 08:56:00【

  氨氣和一氧化二氮都是常見(jiàn)的化學(xué)氣體。氨氣要用于生產(chǎn)硝酸、尿素和其他化學(xué)肥料,還可用作醫(yī)藥和農(nóng)藥的原料,也可以廣泛地應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)、冶金工業(yè),以及需要保護(hù)氣氛的其他工業(yè)和科學(xué)研究中。而一氧化二氮?jiǎng)e名笑氣,“笑氣”的名稱(chēng)是由于吸入它會(huì)感到欣快,并能致人發(fā)笑。一氧化二氮能溶于水、乙醇、乙醚及濃硫酸,但不與水反應(yīng)。它也可以用來(lái)作為火箭和賽車(chē)的氧化劑,以及增加發(fā)動(dòng)機(jī)的輸出功率。一氧化二氮是強(qiáng)溫室氣體。科學(xué)家發(fā)現(xiàn)笑氣和氨氣能夠使鈦酸鈷及鈦酸鎳崩潰電場(chǎng),從而發(fā)揮更大的潛力。下面就由紐瑞德特氣小編月月為大家解說(shuō)一下吧!

 

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  利用氧化爐管合成的高介電常數(shù)材料鈦酸鈷及鈦酸鎳,其可被運(yùn)用在非揮發(fā)性記憶體元件、隨機(jī)存取記憶體、及金氧半場(chǎng)效電晶體閘及氧化層上。將其用來(lái)取代複晶硅氧化層時(shí),我們可以提高偶合系數(shù)使得快閃記憶體的操作電壓可以降低,

 

  在實(shí)驗(yàn)中,學(xué)者證明高溫金屬氧化製程不會(huì)造成穿遂氧化層特性的劣化,并研究有關(guān)于鈦酸鈷及鈦酸鎳的物性,電性以及可靠度分析。我們首次將氧化前電漿處理及氧化后電漿處理的方式運(yùn)用在這兩個(gè)介電層的製造上。結(jié)果顯示經(jīng)由氨氣或一氧化二氮?dú)怏w高密度電漿化學(xué)氣相沉積做氧化前處理后,使得鈦酸鈷及鈦酸鎳崩潰電場(chǎng),及可靠度方面具有較佳的表現(xiàn),而氧化后處理的方式將使介電層的可靠度降低。經(jīng)過(guò)氧化前氨氣或一氧化二氮電漿處理製程后,將使得其更有潛力應(yīng)用在非揮發(fā)性記憶體複晶硅介電層中。

 

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