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氦氣應用（二）
（1）氦在電子工業(yè)領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。在半導體、液晶面板和光纖制造過程中，氦氣在實現(xiàn)零部件快速冷卻同時還能控制熱傳遞速率，改善了生產(chǎn)效率并減少了缺陷。此外，氦氣在硅晶片生產(chǎn)中也用作保護氣，隔絕空氣，避免單質(zhì)硅和氧氣發(fā)生反應。在電子支付領(lǐng)域，氦氖混合制成的氦氖激光器便宜高效且能耗低，廣泛應用于條形碼識別、二維碼支付等。 （2）核磁共振成像領(lǐng)域，已知的超導材料都要在-130℃以下的低溫中才能表現(xiàn)出特性，只有液氦能比較高效的實現(xiàn)這樣穩(wěn)定的超低溫。核磁共振成像儀的核心也是超導磁體，沒有液氦就不能更多 +
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標準氣體中一些組分的導熱系數(shù)
標準氣體中一些組分的導熱系數(shù) 組分名稱 4.18*107w(m.k) 組分名稱 4.18*107w(m.k) 0℃ 100℃ 0℃ 100℃ 空氣 5.8 7.5 CHCL3 1.6 2.5 H2 41.6 53.4 CH2CL2 1.6 2.7 He 34.8 51.6 CH3CL 2.2 4.0 N2 5.8 7.5 CH3BR更多 +
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標準氣體組分的相容性
如果配制氮中一氧化氮標準氣體，如果高純氮中含有氧或充裝中帶入氧，那么混合氣體就變成了NO2/N2了。類似的問題總結(jié)為以下三點： 1、酸性氣體和堿性氣體 常見的酸性氣體包括：HCL、H2S、SO、NO2、有機酸等不能和堿性，如NH3及有機胺充入一個氣瓶中； 2、還原性氣體和氧化性氣體不相容，不能充裝在一個氣瓶中，如：H2S和SO2，H2S和NO2，H2和Cl2等。 3、可燃或不可燃氣體與氧化性氣體 如果在爆炸下限以上或最小需氧量以上將可燃氣體和氧化性氣體充入同一個氣瓶中，會有爆炸的危險。更多 +
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標準氣體的靜態(tài)和動態(tài)配氣法
一、靜態(tài)配氣法 靜態(tài)配氣法是把一定量的氣態(tài)或蒸氣態(tài)的原料氣加入已知容積的容器中，再充入稀釋氣體，混勻制得。所用的原料氣可以是純氣，也可以是已知濃度的混合氣。 常用靜態(tài)配氣方法有： 1、注射器配氣法 2、配氣瓶配氣法 二、動態(tài)配氣法 這種方法使已知濃度的原料氣與稀釋氣按恒定比例連續(xù)不斷地進入混合器混氣，從而可以連續(xù)不斷地配制并供給一定濃度的標準氣體，兩股氣流的流量比即稀釋倍數(shù)，根據(jù)稀釋倍數(shù)計算出標準氣體的濃度。 常用的配氣法有： 1、連續(xù)稀釋法 2、負壓噴射法更多 +
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特殊性質(zhì)標準氣體的配制
1、性質(zhì)活潑的標準氣體的配制 有些氣體性質(zhì)特別活潑，極易與氧、水包裝容器材料發(fā)生反應而使?jié)舛劝l(fā)生變化，這些氣體以往都是用安瓿瓶、飽和蒸氣壓等方法少量配制，不宜長途運輸及長期貯存。20世紀80年代，美國NIST及一些特氣公司如SCOTT等通過實驗，研制出鋼瓶的內(nèi)涂層技術(shù)。該技術(shù)有效地防止了活性氣體與鋼瓶內(nèi)壁發(fā)生反應，使得氣體的穩(wěn)定性增大，但氣體的穩(wěn)定性只限于半年，最長不超過一年，配制濃度低時保存時間較短，而且該方法配制的標準氣體沒有形成量值傳遞與溯源。 2、揮發(fā)性有機化合物標準氣體的配制 揮發(fā)性有機更多 +
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標準氣體廢氣處理的幾種基本方法
一、標準氣體廢氣處理有以下四種方法： 1、吸附法 吸附法也叫干法，是用固體吸收劑吸附氣體中的有害成分。吸附劑因所吸氣體組分不同有多種多樣，有多孔質(zhì)活性炭、氧化鋁凝膠、硅膠、硅藻土等。 2、吸收法 它適用于處理水溶性物質(zhì)和與水反應的物質(zhì)，也適用于處理一些溶于酸堿溶液或與酸堿溶液反應的物質(zhì)，它是通過氣體和吸收劑的接觸把有物質(zhì)吸收收液相中，常見的吸收液有水、氫氧化鈉等堿的水溶液。氣液兩相接觸的方法有噴淋式和鼓泡式。 3、燃燒法 此法適用于處理各種可燃性氣體，它是將有害物質(zhì)通過燃燒轉(zhuǎn)化成無害或危害少的物質(zhì)更多 +
