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: 降低還是提升？目前電子級(jí)氣體建設(shè)成本怎么樣？

對(duì)于電子氣體傳輸系統(tǒng)而言，在不降低系統(tǒng)污染水平和安全配置的情況下降低建設(shè)和運(yùn)營(yíng)成本也是一個(gè)挑戰(zhàn)。通過(guò)合理的系統(tǒng)配置和材料選擇，可以降低初始投資成本。這要求電子輸氣網(wǎng)絡(luò)承包商具有強(qiáng)大的系統(tǒng)設(shè)計(jì)能力。相同的沖洗氮?dú)庀到y(tǒng)用于具有合適性質(zhì)的氣體，這可以節(jié)省氣瓶柜的入口。對(duì)于VMB，可使用移動(dòng)式?jīng)_洗氮?dú)獗P(pán)。用于小型管道（≤1/2“）的施工彎頭直接使用，既節(jié)省了彎頭的成本，又提高了施工效率。嚴(yán)格執(zhí)行高純度管道施工規(guī)范可以減少測(cè)試氣體和測(cè)試時(shí)間。這些是有用的成本控制措施。使用大型包裝容器的空
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: 甲醛檢測(cè)儀的檢測(cè)原理有哪些？如何選擇合適的甲醛檢測(cè)儀？

甲醛檢測(cè)儀的檢測(cè)原理主要包括分光光度法原理、電化學(xué)原理和半導(dǎo)體原理。分光光度法的準(zhǔn)確度高，但結(jié)果數(shù)據(jù)慢。通常需要兩三天。主要用于專業(yè)實(shí)驗(yàn)室儀器和科學(xué)研究。電化學(xué)原理它具有以下優(yōu)點(diǎn)：反應(yīng)速度快，準(zhǔn)確度（可用于ppm水平），穩(wěn)定性好，定量檢測(cè)；缺點(diǎn)是使用壽命不長(zhǎng)，大約五年。半導(dǎo)體原理穩(wěn)定性差，只能用于定性評(píng)估。它不能滿足儀器的數(shù)字顯示要求，通常不在儀器上使用。如何選擇合適的甲醛檢測(cè)儀？甲醛檢測(cè)儀通常采用電化學(xué)傳感器方法，國(guó)內(nèi)外權(quán)威機(jī)構(gòu)已經(jīng)證明了這一點(diǎn)。首先，看。通過(guò)檢測(cè)器的進(jìn)氣口觀察傳感器類型。電化
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: 色譜儀光譜儀如何正確選用高純氣體延長(zhǎng)儀器壽命？

如何正確選擇高純度氣體以延長(zhǎng)色譜儀的使用壽命？純氣體的使用：純氣體的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛。在半導(dǎo)體工業(yè)中，高純度氮?dú)狻⒏呒兌葰錃?、高純度氬氣和高純度氦氣可以用作載氣和保護(hù)氣體；它可用作混合用的高純度土壤氣體。氣體生產(chǎn)和銷售各種類型的氣體產(chǎn)品，為數(shù)百家儀器服務(wù)提供商和實(shí)驗(yàn)室提供氣體服務(wù)，那么如何選擇高純度氣體用于色譜儀？氣相色譜中常用的載氣是氫氣、氮?dú)?、氦氣、氬氣和空氣。除了空氣壓縮機(jī)可以提供空氣外，這些氣體通常由提供。通常，對(duì)流量進(jìn)行清潔、穩(wěn)定、控制和測(cè)量。盡管如何選擇不同氣體純度的氣源作為氣相色譜儀的
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: 空氣中一氧化碳檢驗(yàn)方法

非色散紅外氣體分析 1.原理一氧化碳對(duì)非色散紅外光束具有選擇性吸收。在一定范圍內(nèi)，吸收值與一氧化碳濃度呈線性關(guān)系。根據(jù)吸收值確定樣品中一氧化碳的濃度。 2.試劑和材料 2.1彩色硅膠：120℃干燥2h。 2.2無(wú)水氯化鈣：分析純。 2.3高純度氮?dú)猓?9.99%純度。 2.4 Hopkalite氧化劑：10-20目顆粒。Hojarate氧化劑主要由氧化錳（MnO）和氧化銅（CuO）組成。其功能是將空氣中的一氧化碳氧化為二氧化碳，用于儀表調(diào)零。該氧化劑的氧化效率在100℃以下達(dá)到100%。
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: 怎樣做好六氟化硫氣體充氣防范

六氟化硫氣體無(wú)毒，但如果在填充過(guò)程中處理不當(dāng)，則很容易泄漏。然而，如果泄漏且濃度過(guò)高，則非常危險(xiǎn)。它們會(huì)導(dǎo)致不純的氣體和污染物。因此，必須加強(qiáng)這種氣體的泄漏檢測(cè)。當(dāng)氣體中的水分超過(guò)規(guī)格時(shí)，當(dāng)水分發(fā)生變化時(shí)，六氟化硫氣體會(huì)凝結(jié)在固體絕緣表面上，導(dǎo)致表面變得潮濕。此時(shí)，設(shè)備的表面放電電壓會(huì)受到影響，并出現(xiàn)顯著下降。因此，在填充之前，應(yīng)測(cè)量六氟化硫環(huán)境的相對(duì)濕度，濕度應(yīng)在80%以下。如果測(cè)量不合格，采取行動(dòng)或選擇干燥天氣進(jìn)行填充。此外，檢測(cè)六氟化硫氣體的常用方法包括：電化學(xué)技術(shù)：當(dāng)六氟化硫氣體
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: 氣體檢測(cè)儀常見(jiàn)的檢測(cè)原理及優(yōu)缺點(diǎn)

半導(dǎo)體原理：半導(dǎo)體氣體傳感器基于金屬氧化物半導(dǎo)體材料。在空氣中，當(dāng)空氣的氧化還原狀態(tài)改變時(shí)，半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性相應(yīng)地改變，即，在氣體被吸收之后，金屬氧化物半導(dǎo)體表面的電阻改變優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)：優(yōu)點(diǎn)：具有成本低、制造方便、靈敏度高、響應(yīng)快、壽命長(zhǎng)、濕度靈敏度低、電路簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。缺點(diǎn)：穩(wěn)定性差，受環(huán)境影響嚴(yán)重；特別地，每個(gè)傳感器的選擇性不是唯一的，并且不能確定輸出參數(shù)。因此，它不應(yīng)用于需要精確測(cè)量的地方，而主要用于民用。催化燃燒原理：當(dāng)氣體傳感器材料（如Pt電線）被提供能量時(shí)，可燃?xì)怏w在催
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: 如何選擇有毒氣體檢測(cè)儀

有毒氣體探測(cè)器的選擇原則 1.根據(jù)工作場(chǎng)所需要監(jiān)測(cè)和報(bào)警的有毒氣體，選擇合適的有毒氣體檢測(cè)器 2.有毒氣體探測(cè)器的探測(cè)范圍、報(bào)警精度、選擇性和使用壽命必須滿足報(bào)警要求。探測(cè)器必須能夠承受中毒損壞 3.根據(jù)有毒氣體釋放源和釋放點(diǎn)的環(huán)境和工作條件，選擇合適的有毒氣體檢測(cè)器 4.根據(jù)工人的操作選擇不同結(jié)構(gòu)的有毒氣體探測(cè)器 4.1應(yīng)在工人經(jīng)常移動(dòng)的有毒工作場(chǎng)所設(shè)置固定式有毒氣體探測(cè)器 4.2應(yīng)在有毒氣體工作站中設(shè)置便攜式有毒氣體檢測(cè)裝置，該工作站的工作人員應(yīng)在短時(shí)間內(nèi)處于活動(dòng)狀態(tài) 4.3在不方
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: 實(shí)驗(yàn)用戶如果選擇液氮容器？

在購(gòu)買(mǎi)液氮容器時(shí)，實(shí)驗(yàn)用戶不知道他們需要購(gòu)買(mǎi)多大的液氮容器來(lái)儲(chǔ)存自己的樣本？首先，這取決于樣品的體積。冷凍樣品的體積決定了液氮容器的體積。如果樣品較小，應(yīng)選擇體積較小的液氮容器。冷凍樣品的體積也決定了購(gòu)買(mǎi)的液氮容器的尺寸。如果樣品較大，應(yīng)選擇體積較大的液氮容器。樣品直徑的大小對(duì)于液氮容器的選擇也是決定性的。通常，液氮容器的直徑應(yīng)大于冷凍樣品的直徑。例如，如果您購(gòu)買(mǎi)了一個(gè)直徑為80mm的液氮容器，則無(wú)法插入樣品，無(wú)法滿足您的需求。如果需要儲(chǔ)存冷凍管，則儲(chǔ)存容量較大。您可以選擇大直徑和大體積的容器來(lái)儲(chǔ)存液氮
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: 標(biāo)準(zhǔn)氣體的穩(wěn)定性與有效期

標(biāo)準(zhǔn)氣體的穩(wěn)定性是制備和使用中的關(guān)鍵問(wèn)題。理論上，充入高壓氣瓶的標(biāo)準(zhǔn)氣體的濃度值在儲(chǔ)存和使用過(guò)程中不得改變。然而，當(dāng)標(biāo)準(zhǔn)氣體中的組分氣體或雜質(zhì)接觸容器內(nèi)壁時(shí)，往往會(huì)引起吸附、解吸、化學(xué)反應(yīng)等現(xiàn)象，使其濃度值隨時(shí)間變化。濃度越低，組成越復(fù)雜，變化越大。因此，標(biāo)準(zhǔn)氣體的穩(wěn)定性與容器材料的物理性質(zhì)、容器內(nèi)壁的預(yù)處理以及氣體本身的化學(xué)性質(zhì)密切相關(guān)。（1）儲(chǔ)存容器的選擇和預(yù)處理裝有標(biāo)準(zhǔn)氣體的容器必須由耐腐蝕、無(wú)銹蝕、吸附性低、化學(xué)性能穩(wěn)定和機(jī)械強(qiáng)度高的材料制成。常用的高壓容器由錳鋼、鉻相鋼、鋁合金或不銹
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: 氣體在半導(dǎo)體外延中起到的作用

外延生長(zhǎng)本質(zhì)上是一個(gè)化學(xué)反應(yīng)過(guò)程。用于硅外延生長(zhǎng)的主要?dú)怏w源是氫和氯硅烷，例如四氯化硅（SiCl4）、三氯氫硅（SiHCl3）和二氯硅烷（SiH2Cl2）。此外，硅烷經(jīng)常被用作氣體源以降低生長(zhǎng)溫度。氣源的選擇主要取決于外延層的生長(zhǎng)條件和規(guī)格，其中生長(zhǎng)溫度是選擇氣源的最重要因素。硅外延層的生長(zhǎng)速率和生長(zhǎng)溫度之間的關(guān)系。顯示了兩個(gè)不同的增長(zhǎng)區(qū)域。在低溫區(qū)域（區(qū)域A）中，硅外延層的生長(zhǎng)速率與溫度成指數(shù)關(guān)系，這意味著它們由表面反應(yīng)控制；在高溫范圍（區(qū)域B），生長(zhǎng)速率與溫度幾乎沒(méi)有直接關(guān)系，表明它們受質(zhì)量傳輸
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