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四氟化碳、三氟甲烷、六氟丁二烯電子行業(yè)中重要的蝕刻氣體
蝕刻是電子行業(yè)重要工藝,蝕刻所用氣體稱蝕刻氣體, 通常多為氟化物氣體, 例如四氟化碳、全氟丁二烯、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。 作為新一代環(huán)保電子氣體,電子級(jí)C4F6成為集成電路IC芯片等制造時(shí)必不可少的刻蝕氣體,其GWP值簡(jiǎn)直為0,而且能完結(jié)納米級(jí)溝槽的加工,成為電子工業(yè)領(lǐng)域內(nèi)一把神奇的“刻刀”,比γ刀還γ! 2015年,浙化院特種氣體研發(fā)團(tuán)隊(duì)提出自主開(kāi)發(fā)新一代含氟電子氣體C4F6的提純技能。 今天紐小編就帶大家一起看看C4F6是怎樣更多 +
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蝕刻技術(shù)中特種氣體的作用
硅片的蝕刻氣體(特種氣體)主要是氟基氣體,包括四氟化碳、四氟化碳/氧氣、六氟化硫、六氟乙烷/氧氣、三氟化氮等。但由于其各向同性,選擇性較差,因此改進(jìn)后的蝕刻氣體通常包括氯基(Cl2)和溴基(Br2、HBr)氣體。反應(yīng)后的生成物包括四氟化硅、四氯硅烷和SiBr4。鋁和金屬?gòu)?fù)合層的蝕刻通常采用氯基氣體,如CCl4、Cl2、BCl3等。產(chǎn)物主要包括AlCl3等 蝕刻是采用化學(xué)和物理方法,有選擇地從硅片表面去除不需要的材料的過(guò)程。刻蝕的目的是在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩膜圖形。刻蝕分為濕法蝕更多 +
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電子特氣—三氟碘甲烷蝕刻技術(shù)
三氟碘甲烷作為滅火劑具有滅火效率高、安全性能好、經(jīng)濟(jì)效用高、滅火后不留痕跡等特點(diǎn),是哈龍1301優(yōu)選替代品種,經(jīng)NFPA的標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證,可正式使用。在航空、航天等領(lǐng)域具有不可替代的作用。作為制冷劑,三氟碘甲烷不燃,具有油溶性和材料相容性很好的特點(diǎn),被認(rèn)為是傳統(tǒng)氟利昂制冷劑組元的理想替代品之一。另外,三氟碘甲烷在含氟中間體、半導(dǎo)體蝕刻、發(fā)泡劑等其它領(lǐng)域也具有廣泛的應(yīng)用前景。 三氟碘甲烷(CF3I)作為半導(dǎo)體刻蝕氣體用于3D NAND Flash先進(jìn)制程,與同種刻蝕氣體CF4,C4F6相比,三氟碘甲烷(C更多 +
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